Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд за автором "Завадский, В.А."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Завадский, В.А."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия 
    Завадский, В.А.; Ленков, С.В.; Лукомский, Д.В.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в ...
  • Влияние радиационного облучения на характеристики солнечных элементов из поликристаллического кремния 
    Завадский, В.А.; Масенко, Б.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Приведены результаты исследований влияния облучения быстрыми нейтронами на характеристики солнечных элементов из монокристаллического и поликристаллического профилированного и перепрофилированного кремния. Показана более ...
  • Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры 
    Мокрицкий, В.А.; Завадский, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Исследовано влияние радиационной обработки быстрыми электронами и быстрыми нейтронами на полупроводниковые микросхемы, используемые в качестве первичных преобразователей температуры, и гибридные микросборки, предназначенные ...
  • Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент 
    Гаркавенко, А.С.; Мокрицкий, В.А.; Банзак, О.В.; Завадский, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
    При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные ...
  • Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки 
    Гаркавенко, А.С.; Мокрицкий, В.А.; Банзак, О.В.; Завадский, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
    При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование.
  • Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем 
    Дранчук, С.Н.; Завадский, В.А.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработана диффузионная модель жидкофазной эпитаксии двухслойной системы в условиях изменения скорости охлаждения раствора-расплава. Обнаружено, что после прекращения охлаждения переходный процесс продолжается, за счет ...
  • Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев 
    Дранчук, С.Н.; Завадский, В.А.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    На основе разработанной авторами модели массопереноса предложен новый метод эпитаксии толстых слоев. Метод предусматривает рост различных частей слоев в двухслойных системах, получаемых из раствора-расплава, и позволяет ...
  • Получение кремния электродным восстановлением продуктов пиролиза рисовой лузги 
    Марончук, И.Е.; Масенко, Б.П.; Повстяной, М.В.; Завадский, В.А.; Соловьев, О.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Проведен сравнительный анализ химических свойств лузги риса, выращиваемого в Украине и в некоторых других странах. Предложена схема получения кремния “солнечного” класса из рисовой лузги для производства фотоэлектрических ...
  • Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe 
    Завадский, В.А.; Зубарев, В.В.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и ...